賓夕法尼亞大學(xué)的研究小組首次證明，不同時機施加電刺激對人類大腦的記憶功能有不同的作用，記憶失效期施加電刺激有助于恢復(fù)記憶，而同樣的電刺激，施加于記憶有效期則起到相反的作用。該研究成果發(fā)表于近期出版的《當代生物學(xué)》雜志上。

恢復(fù)記憶是美國國防高級研究計劃局（DARPA）為期四年的研究項目，旨在開發(fā)新技術(shù)，以改善記憶喪失患者的記憶功能。新研究表明，在適當時機對腦部施加刺激，才能取得較好的治療效果，在記憶恢復(fù)研究上邁出了重要的一步。

研究人員將電極植入到患者腦中，測量大腦各部位的電信號，記錄大腦在形成記憶或記憶失敗時的不同活動模式，并利用機器學(xué)習(xí)來解密記憶強弱的電信號，進而識別出大腦有效記憶和無效記憶的神經(jīng)活動模式。

利用該模式，研究人員要求受試者在接受安全范圍的腦刺激時，學(xué)習(xí)和回憶常用單詞表，來測量在有效記憶期和無效記憶期，電刺激對記憶功能的影響。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在有效記憶期施加電刺激，記憶變壞。

在無效記憶期施加電刺激，記憶會得到顯著提高。研究人員認為，人類大腦與交通有相似之處，而電刺激可以起到類似恢復(fù)交通正常秩序的作用。

研究人員表示，深刻理解大腦的這一過程，可提高多種類型患者，尤其是那些創(chuàng)傷性腦損傷或阿爾茨海默氏癥等神經(jīng)系統(tǒng)疾病患者的生活質(zhì)量。

根據(jù)不同類型來施加刺激的技術(shù)，在恢復(fù)記憶功能方面具有十分重要的意義，但從概念驗證到實際治療仍需進行更多的研究。